Datasheet 搜索 > 中高压MOS管 > IXYS Semiconductor > IXFK30N100Q2 Datasheet 文档
IXFK30N100Q2
来自 AiPCBA

IXFK30N100Q2 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:中高压MOS管
封装:TO-264-3
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXFK30N100Q2  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 A, 1 kV, 400 mohm, 10 V, 5 V
PDF文件:IXFK30N100Q2 数据手册 (4 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IXFK30N100Q2 数据手册 (4 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IXFK30N100Q2 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-264-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.4 Ω
极性N-Channel
功耗735 W
阈值电压5 V
漏源极电压(Vds)1 kV
连续漏极电流(Ids)30.0 A
上升时间14 ns
输入电容值(Ciss)8200pF @25V(Vds)
下降时间10 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)735W (Tc)
查看数据手册 >

IXFK30N100Q2 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended
包装方式Tube
重量10.0 mg
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >

IXFK30N100Q2 数据手册

IXFK30N100Q2 数据手册
IXYS Semiconductor
4 页 / 0.56 MByte
IXFK30N100Q2 其他数据使用手册
IXYS Semiconductor
4 页 / 0.1 MByte
IXFK30N100Q2 开发手册
IXYS Semiconductor
6 页 / 1.89 MByte

IXFK30N100 数据手册

IXFK30N100Q2 数据手册
IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXFK30N100Q2  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 A, 1 kV, 400 mohm, 10 V, 5 V
IXFK30N100Q2_08 数据手册
IXYS Semiconductor
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet