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IXFN106N20
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IXFN106N20 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:SOT-227-4
PDF文件:IXFN106N20 数据手册 (5 页)
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焊盘图
引脚图
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IXFN106N20 数据手册 (5 页)
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IXFN106N20 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Screw
引脚数4 Pin
额定电压(DC)200 V
额定电流106 A
封装SOT-227-4
额定功率520 W
漏源极电阻20.0 mΩ
极性N-Channel
功耗520 W
漏源极电压(Vds)200 V
连续漏极电流(Ids)106 A
上升时间80.0 ns
输入电容值(Ciss)9000pF @25V(Vds)
额定功率(Max)520 W
耗散功率(Max)521W (Tc)
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IXFN106N20 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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