Datasheet 搜索 > MOS管 > IXYS Semiconductor > IXFN130N30 Datasheet 文档
IXFN130N30
来自 AiPCBA

IXFN130N30 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:SOT-227-4
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN130N30  晶体管, MOSFET, N沟道, 130 A, 300 V, 22 mohm, 10 V, 4 V
PDF文件:IXFN130N30 数据手册 (4 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IXFN130N30 数据手册 (4 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IXFN130N30 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Screw
引脚数4 Pin
额定电压(DC)300 V
额定电流130 A
封装SOT-227-4
额定功率700 W
针脚数4 Position
漏源极电阻0.022 Ω
极性N-Channel
功耗700 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)300 V
连续漏极电流(Ids)130 A
上升时间75 ns
输入电容值(Ciss)14500pF @25V(Vds)
下降时间31 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
工作结温(Max)150 ℃
耗散功率(Max)700W (Tc)
查看数据手册 >

IXFN130N30 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Bulk
材质Silicon
重量0.000036 kg
工作温度-55℃ ~ 150℃
查看数据手册 >

IXFN130N30 数据手册

IXFN130N30 数据手册
IXYS Semiconductor
4 页 / 0.15 MByte
IXFN130N30 其他数据使用手册
IXYS Semiconductor
4 页 / 0.15 MByte

IXFN130 数据手册

IXFN130N30 数据手册
IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN130N30  晶体管, MOSFET, N沟道, 130 A, 300 V, 22 mohm, 10 V, 4 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet