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IXFN200N10P
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IXFN200N10P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:SOT-227-4
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN200N10P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 200 A, 100 V, 7.5 mohm, 15 V, 5 V
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IXFN200N10P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Chassis
引脚数4 Pin
封装SOT-227-4
针脚数4 Position
漏源极电阻0.0075 Ω
极性N-Channel
功耗680 W
阈值电压5 V
漏源极电压(Vds)100 V
连续漏极电流(Ids)200 A
上升时间35 ns
反向恢复时间150 ns
输入电容值(Ciss)7600pF @25V(Vds)
额定功率(Max)680 W
下降时间90 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)680W (Tc)
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IXFN200N10P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
材质Silicon
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IXFN200N10P 数据手册

IXFN200N10P 数据手册
IXYS Semiconductor
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IXFN200N10 数据手册

IXFN200N10P 数据手册
IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN200N10P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 200 A, 100 V, 7.5 mohm, 15 V, 5 V
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