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IXFR66N50Q2 数据手册 - IXYS Semiconductor
制造商:
IXYS Semiconductor
分类:
MOS管
封装:
ISOPLUS-247
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IXFR66N50Q2 数据手册
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IXFR66N50Q2 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
ISOPLUS-247
极性
N-CH
功耗
500W (Tc)
漏源极电压(Vds)
500 V
连续漏极电流(Ids)
50A
输入电容值(Ciss)
9125pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
500 W
耗散功率(Max)
500W (Tc)
IXFR66N50Q2 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
IXFR66N50Q2 符合标准
IXFR66N50Q2 数据手册
IXFR66N50Q2
其他数据使用手册
IXYS Semiconductor
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