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IXFX32N50Q
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IXFX32N50Q 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-247-3
PDF文件:IXFX32N50Q 数据手册 (4 页)
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IXFX32N50Q 数据手册 (4 页)
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IXFX32N50Q 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
封装TO-247-3
通道数1 Channel
漏源极电阻160 mΩ
极性N-CH
功耗416 W
漏源极电压(Vds)500 V
漏源击穿电压500 V
连续漏极电流(Ids)32A
上升时间42 ns
输入电容值(Ciss)3950pF @25V(Vds)
额定功率(Max)416 W
下降时间20 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)416W (Tc)
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IXFX32N50Q 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tube
长度16.13 mm
宽度5.21 mm
高度21.34 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXFX32N50Q 数据手册

IXFX32N50Q 数据手册
IXYS Semiconductor
4 页 / 0.56 MByte
IXFX32N50Q 其他数据使用手册
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