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IXFX34N80
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IXFX34N80 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:IXFX 系列 单 N 沟道 800 V 240 mOhm 560 W 功率 Mosfet - PLUS247
PDF文件:IXFX34N80 数据手册 (2 页)
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IXFX34N80 数据手册 (2 页)
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IXFX34N80 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)800 V
额定电流34.0 A
封装TO-247-3
通道数1 Channel
漏源极电阻240 mΩ
极性N-CH
功耗560000 mW
漏源极电压(Vds)800 V
连续漏极电流(Ids)34.0 A
上升时间45 ns
输入电容值(Ciss)7500pF @25V(Vds)
下降时间40 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)560W (Tc)
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IXFX34N80 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
材质Silicon
宽度5.21 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXFX34N80 数据手册

IXFX34N80 数据手册
IXYS Semiconductor
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IXFX34 数据手册

IXFX34N80 数据手册
IXYS Semiconductor
IXFX 系列 单 N 沟道 800 V 240 mOhm 560 W 功率 Mosfet - PLUS247
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