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NGTB03N60R2DT4G
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NGTB03N60R2DT4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:IGBT晶体管
封装:TO-252-3
描述:ON SEMICONDUCTOR  NGTB03N60R2DT4G  单晶体管, IGBT, 9 A, 1.7 V, 49 W, 600 V, TO-252, 3 引脚
PDF文件:NGTB03N60R2DT4G 数据手册 (8 页)封装尺寸在7 页
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NGTB03N60R2DT4G 数据手册 (8 页)
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NGTB03N60R2DT4G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
针脚数3 Position
功耗49 W
击穿电压(集电极-发射极)600 V
反向恢复时间65 ns
额定功率(Max)49 W
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)49000 mW
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NGTB03N60R2DT4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.73 mm
宽度6.22 mm
高度2.38 mm
工作温度175℃ (TJ)
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NGTB03N60R2DT4G 数据手册

NGTB03N60R2DT4G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.57 MByte
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11 页 / 3.63 MByte

NGTB03N60R2DT4 数据手册

NGTB03N60R2DT4G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR  NGTB03N60R2DT4G  单晶体管, IGBT, 9 A, 1.7 V, 49 W, 600 V, TO-252, 3 引脚
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