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IXTF02N450
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IXTF02N450 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:ISOPLUS-i4-PAK-3
PDF文件:IXTF02N450 数据手册 (6 页)
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焊盘图
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IXTF02N450 数据手册 (6 页)
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IXTF02N450 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装ISOPLUS-i4-PAK-3
通道数1 Channel
漏源极电阻750 Ω
极性N-CH
功耗78 W
阈值电压4V ~ 6.5V
漏源极电压(Vds)4500 V
漏源击穿电压4500 V
连续漏极电流(Ids)0.2A
上升时间48 ns
输入电容值(Ciss)256pF @25V(Vds)
下降时间143 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)78W (Tc)
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IXTF02N450 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
材质Silicon
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXTF02N450 数据手册

IXTF02N450 数据手册
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