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MIXA600PF650TSF
来自 AiPCBA

MIXA600PF650TSF 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:IGBT晶体管
封装:Module
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焊盘图
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MIXA600PF650TSF 数据手册 (4 页)
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MIXA600PF650TSF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Chassis
封装Module
击穿电压(集电极-发射极)650 V
额定功率(Max)1750 W
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)1750000 mW

MIXA600PF650TSF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
工作温度-40℃ ~ 175℃ (TJ)

MIXA600PF650TSF 数据手册

MIXA600PF650TSF 其他数据使用手册
IXYS Semiconductor
4 页 / 0.11 MByte

MIXA600PF650 数据手册

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