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IXTK180N15P
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IXTK180N15P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-264-3
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXTK180N15P  晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 150 V, 10 mohm, 10 V, 5 V
PDF文件:IXTK180N15P 数据手册 (5 页)
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IXTK180N15P 数据手册 (5 页)
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IXTK180N15P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-264-3
针脚数3 Position
漏源极电阻10 mΩ
极性N-Channel
功耗800 W
阈值电压5 V
漏源极电压(Vds)150 V
连续漏极电流(Ids)180 A
上升时间32 ns
反向恢复时间150 ns
输入电容值(Ciss)7000pF @25V(Vds)
额定功率(Max)800 W
下降时间36 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)800W (Tc)
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IXTK180N15P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IXTK180N15P 数据手册

IXTK180N15P 数据手册
IXYS Semiconductor
5 页 / 0.16 MByte
IXTK180N15P 其他数据使用手册
IXYS Semiconductor
5 页 / 0.11 MByte
IXTK180N15P 开发手册
IXYS Semiconductor
6 页 / 1.89 MByte

IXTK180N15 数据手册

IXTK180N15 数据手册
IXYS Semiconductor
IXTK180N15P 数据手册
IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXTK180N15P  晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 150 V, 10 mohm, 10 V, 5 V
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