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IXTN36N50
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IXTN36N50 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:SOT-227-4
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXTN36N50  晶体管, MOSFET, N沟道, 36 A, 500 V, 120 mohm, 10 V, 5 V
PDF文件:IXTN36N50 数据手册 (4 页)
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IXTN36N50 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Chassis
引脚数3 Pin
封装SOT-227-4
针脚数3 Position
漏源极电阻0.12 Ω
极性N-Channel
功耗400 W
阈值电压5 V
漏源极电压(Vds)500 V
连续漏极电流(Ids)36.0 A
输入电容值(Ciss)8500pF @25V(Vds)
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)400000 mW
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IXTN36N50 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
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