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IXTP180N10T
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IXTP180N10T 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:N沟道 100V 180A
PDF文件:IXTP180N10T 数据手册 (6 页)
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焊盘图
引脚图
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IXTP180N10T 数据手册 (6 页)
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IXTP180N10T 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
通道数1 Channel
漏源极电阻6.4 mΩ
极性N-Channel
功耗480 W
漏源极电压(Vds)100 V
漏源击穿电压100 V
连续漏极电流(Ids)180 A
上升时间54 ns
输入电容值(Ciss)6900pF @25V(Vds)
额定功率(Max)480 W
下降时间31 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)480W (Tc)
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IXTP180N10T 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tube
长度10.66 mm
宽度4.83 mm
高度9.15 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IXTP180N10T 数据手册

IXTP180N10T 数据手册
IXYS Semiconductor
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IXTP180N10T 数据手册
IXYS Semiconductor
N沟道 100V 180A
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