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RSU002P03T106
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RSU002P03T106 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:SOT-323-3
描述:4V驱动P沟道MOSFET 4V Drive Pch MOSFET
PDF文件:RSU002P03T106 数据手册 (8 页)
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焊盘图
引脚图
产品图
RSU002P03T106 数据手册 (8 页)
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RSU002P03T106 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)-30.0 V
额定电流-200 mA
封装SOT-323-3
通道数1 Channel
漏源极电阻1.60 Ω
极性N-Channel
功耗0.2 W
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)200 mA
上升时间5 ns
输入电容值(Ciss)30pF @10V(Vds)
额定功率(Max)200 mW
下降时间40 ns
耗散功率(Max)200 mW
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RSU002P03T106 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
长度2 mm
宽度1.25 mm
高度0.8 mm
工作温度150℃ (TJ)
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RSU002P03T106 数据手册

RSU002P03T106 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
8 页 / 1.3 MByte
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