STB30N65M5 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-263-3
描述:	N沟道650 V， 0.125 I© ， 22 A， MDmeshâ ?? ¢ V功率MOSFET DÂ²PAK ， TO- 220FP ， IÂ²PAK ， TO- 220 ， TO- 247 N-channel 650 V, 0.125 Î©, 22 A, MDmeshâ¢ V Power MOSFET DÂ²PAK, TO-220FP, IÂ²PAK, TO-220, TO-247
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STB30N65M5 数据手册 (22 页)

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STB30N65M5 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	3 Pin
封装	TO-263-3
功耗	140 W
阈值电压	4 V
漏源极电压(Vds)	650 V
上升时间	8 ns
输入电容值(Ciss)	2880pF @100V(Vds)
额定功率(Max)	140 W
下降时间	10 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	140W (Tc)

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STB30N65M5 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
材质	Silicon
工作温度	150℃ (TJ)

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STB30N65M5 符合标准

STB30N65M5 海关信息

STB30N65M5 概述

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STB30N65 数据手册

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ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道650 V， 0.125 I© ， 22 A， MDmeshâ ?? ¢ V功率MOSFET DÂ²PAK ， TO- 220FP ， IÂ²PAK ， TO- 220 ， TO- 247 N-channel 650 V, 0.125 Î©, 22 A, MDmeshâ¢ V Power MOSFET DÂ²PAK, TO-220FP, IÂ²PAK, TO-220, TO-247

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