| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | TO-92-3 |
| 输出接口数 | 1 Output |
| 输入电压(DC) | 18.0V (max) |
| 输出电压 | 2.5 V |
| 输出电流 | 100 mA |
| 静态电流 | 3 mA |
| 跌落电压 | 0.2V @100mA |
| 输入电压(Max) | 18 V |
| 工作温度(Max) | 125 ℃ |
| 工作温度(Min) | 40 ℃ |
| 输入电压 | ≤18 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Bulk |
| 长度 | 4.95 mm |
| 宽度 | 3.94 mm |
| 高度 | 4.95 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 125℃ |
PMIC - 稳压器 - 线性 正 固定 输出 100mA TO-92-3
ST Microelectronics（意法半导体）
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ON Semiconductor（安森美）
On Semiconductor串行闪存集成电路。### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM，必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数，适用于不经常更改的程序存储。
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR LE25U20AFD-AH 闪存, 串行, 2 Mbit, 256K x 8位, 30 MHz, SPI, NSOIC, 8 引脚
ON Semiconductor（安森美）
On Semiconductor串行闪存集成电路。### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM，必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数，适用于不经常更改的程序存储。
ON Semiconductor（安森美）
On Semiconductor### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM，必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数，适用于不经常更改的程序存储。
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR LE25S161XATAG 闪存, SFDP, 16 Mbit, 2048K x 8bit, 70 MHz, SPI, WLCSP, 8 引脚 新
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR LE25S20FD-AH 闪存, 串行, 2 Mbit, 256K x 8位, 40 MHz, SPI, NSOIC, 8 引脚
ON Semiconductor（安森美）
LE25U20AQG: 串行闪存，2 Mb (256K x 8)
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