| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 750 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 漏源极电阻 | 125 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 730 mW |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 750 mA |
| 上升时间 | 1 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 140pF @5V(Vds) |
| 下降时间 | 1 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 420mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 0.94 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 2.1A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.10Ω/Ohm @1.2A,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.0-2.4V 耗散功率Pd Power Dissipation| 730mW/0.73W Description & Applications| Power MOSFET 30 V, 2.1 A, Single N−Channel, SOT−23 These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal for use in space sensitive power management circuitry. Typical applications are dc−dc converters and power management in portable and battery−powered products such as computers, printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones. • Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life • Miniature SOT−23 Surface Mount Package Saves Board Space • Pb−Free Package is Available 描述与应用| 功率MOSFET 2.1 V，30 A单N沟道，SOT-23 这些微型表面贴装MOSFET的低RDS（ON）保证 最小的功率损耗，节约能源，使这些设备的理想选择 使用空间敏感的电源管理电路。典型 应用的DC-DC转换器，在便携式电源管理 和电池供电产品，如电脑，打印机，PCMCIA 卡，手机和无绳电话。 •低的RDS（on） 提供更高的效率和延长电池寿命 •微型SOT-23表面贴装封装节省电路板空间 •无铅包装是可用
ON Semiconductor（安森美）
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ON SEMICONDUCTOR MGSF1N03LT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 30 V, 100 mohm, 10 V, 1.7 V
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功率MOSFET的30 V ， 2.1 A单N沟道， SOT -23 Power MOSFET 30 V, 2.1 A, Single N−Channel, SOT−23
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