| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-247-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.019 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 625 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 650 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 96A |
| 上升时间 | 79 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 16870pF @100V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 625 W |
| 下降时间 | 140 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 625W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 5.9 mm |
| 宽度 | 5.3 mm |
| 高度 | 20.3 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronics
●MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。
●### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STY112N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 96 A, 650 V, 0.019 ohm, 10 V, 4 V
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