类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-263-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.019 Ω |
极性 | N-CH |
功耗 | 190 W |
阈值电压 | 5 V |
漏源极电压(Vds) | 200 V |
连续漏极电流(Ids) | 61A |
上升时间 | 31 ns |
输入电容值(Ciss) | 4329pF @50V(Vds) |
额定功率(Max) | 190 W |
下降时间 | 176 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 190W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
材质 | Silicon |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
200V,0.019Ω,65A,N沟道功率MOSFET
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