| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 500 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 5 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 225 mW |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 500 mA |
| 输入电容值(Ciss) | 60pF @10V(Vds) |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 225mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 0.94 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 500mA/0.5A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.05Ω/Ohm @200mA,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.8-3.0V 耗散功率Pd Power Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features •AEC Q101 Qualified − MVBF170LT1 •These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant 描述与应用| 功率MOSFET 500毫安，60 V N沟道SOT-23 AEC Q101标准 - MVBF170LT1 •这些器件是无铅，符合RoHS标准
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET MMBF170, 500 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBF170 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.1 V
National Semiconductor（美国国家半导体）
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR MMBF170LT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 3 V
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