| 类型 | 描述 |
|---|
| 频率 | 1.8MHz ~ 470MHz |
| 引脚数 | 5 Pin |
| 封装 | OM-1230G-4L |
| 针脚数 | 4 Position |
| 功耗 | 3.333 kW |
| 漏源极电压(Vds) | 179 V |
| 输出功率 | 1800 W |
| 增益 | 24 dB |
| 输入电容值(Ciss) | 765pF @65V(Vds) |
| 工作温度(Max) | 225 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 3333000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
NXP（恩智浦）
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NXP（恩智浦）
晶体管, 射频FET, 193 V, 2.247 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, NI-1230H-4S
NXP（恩智浦）
晶体管, 射频FET, 179 V, 3.333 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, OM-1230
NXP（恩智浦）
晶体管, 射频FET, 179 V, 3.333 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, OM-1230G
NXP（恩智浦）
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
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