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MTP3N60
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MTP3N60 数据手册 (10 页)
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MTP3N60 技术参数、封装参数

MTP3N60 外形尺寸、物理参数、其它

MTP3N60 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
10 页 / 0.3 MByte

MTP3 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MTP3055VL  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.1 ohm, 5 V, 1.6 V
ON Semiconductor(安森美)
增强模式 N 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道增强型网络场效晶体管 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
ON Semiconductor(安森美)
Panduit(泛达)
电缆扎带安装, 螺丝安装, 5.21 mm, 本色, 尼龙 6.6 (聚酰胺 6.6), 108 mm, 12.7 mm
Panduit(泛达)
Panduit(泛达)
Panduit(泛达)
ON Semiconductor(安森美)
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