| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | 50.0 V |
| 额定电流 | 100 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 集电极最大允许电流 | 100mA |
| 最小电流放大倍数 | 35 @5mA, 10V |
| 额定功率(Max) | 230 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| 50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| 100mA/0.1A 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 10KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 10KΩ/Ohm 电阻比(R1/R2) Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 35 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 150MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.2W/200mW Description & Applications| Features Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of the number of parts. Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through tape packing and magazine packing. 描述与应用| 特性 通过小型化的设备和部件的数量减少，成本可以降低。 迷你型包装，缩小设备尺寸和 通过磁带包装盒包装自动插入。
ON Semiconductor（安森美）
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NPN硅偏置电阻晶体管 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR MUN2211T1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SC-59
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NPN 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
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MUN2211T1 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 10k 10k 增益35-60 SOT-23/SC-59 marking/标记 8A ESD保护
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MUN2211JT1 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 10k 10k SOT-23/SC-59 marking/标记 8A ESD保护
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双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR NPN 50V
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偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors
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