MUN2211T3G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:	ON Semiconductor（安森美）
分类:	双极性晶体管
封装:	SOT-23-3
描述:	NPN 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。提供单和双晶体管型号。
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MUN2211T3G 数据手册 (12 页)

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MUN2211T3G 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	3 Pin
额定电压(DC)	50.0 V
额定电流	100 mA
封装	SOT-23-3
无卤素状态	Halogen Free
极性	NPN
功耗	0.338 W
击穿电压(集电极-发射极)	50 V
集电极最大允许电流	100mA
最小电流放大倍数	35 @5mA, 10V
最大电流放大倍数	35
额定功率(Max)	230 mW
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	338 mW

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MUN2211T3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
长度	2.9 mm
宽度	1.5 mm
高度	1.09 mm
工作温度	-55℃ ~ 150℃

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MUN2211T3G 符合标准

MUN2211T3G 海关信息

MUN2211T3G 概述

MUN2211T3G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

12 页 / 0.13 MByte

MUN2211T3G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

20 页 / 0.21 MByte

MUN2211T3G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.05 MByte

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NPN 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。提供单和双晶体管型号。

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