| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | 50.0 V |
| 额定电流 | 100 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 集电极最大允许电流 | 100mA |
| 最小电流放大倍数 | 35 @5mA, 10V |
| 额定功率(Max) | 338 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) NPN - 预偏压 50 V 100 mA 338 mW 表面贴装型 SC-59
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
NPN硅偏置电阻晶体管 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR MUN2211T1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SC-59
ON Semiconductor（安森美）
NPN 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
ON Semiconductor（安森美）
MUN2211T1 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 10k 10k 增益35-60 SOT-23/SC-59 marking/标记 8A ESD保护
ON Semiconductor（安森美）
MUN2211JT1 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 10k 10k SOT-23/SC-59 marking/标记 8A ESD保护
ON Semiconductor（安森美）
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR NPN 50V
ON Semiconductor（安森美）
偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors
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