NSV60601MZ4T1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:	ON Semiconductor（安森美）
分类:	双极性晶体管
封装:	SOT-223-4
描述:	PNP 晶体管，超过 1A，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管通用晶体管双 NPN 和 PNP 晶体管功率晶体管高电压晶体管射频双极晶体管低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
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NSV60601MZ4T1G 数据手册 (8 页)

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NSV60601MZ4T1G 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
频率	100 MHz
引脚数	4 Pin
封装	SOT-223-4
无卤素状态	Halogen Free
针脚数	4 Position
极性	NPN
功耗	2 W
击穿电压(集电极-发射极)	60 V
集电极最大允许电流	6A
最小电流放大倍数	120 @1A, 2V
额定功率(Max)	800 mW
直流电流增益(hFE)	120
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	2000 mW

NSV60601MZ4T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
长度	6.7 mm
宽度	3.7 mm
高度	1.65 mm
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

NSV60601MZ4T1G 符合标准

NSV60601MZ4T1G 海关信息

NSV60601MZ4T1G 概述

NSV60601MZ4T1G 数据手册

NSV60601MZ4T1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.19 MByte

NSV60601MZ4T1G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.1 MByte

NSV60601MZ4T1G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.53 MByte

NSV60601MZ4T1 数据手册

NSV60601MZ4T1G 数据手册

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PNP 晶体管，超过 1A，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管通用晶体管双 NPN 和 PNP 晶体管功率晶体管高电压晶体管射频双极晶体管低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管

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