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NTB125N02RT4
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NTB125N02RT4 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TO-263-3
描述:功率MOSFET 125 A， 24 VN沟道TO- 220 ， D2PAK Power MOSFET 125 A, 24 V N−Channel TO−220, D2PAK
PDF文件:NTB125N02RT4 数据手册 (17 页)
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NTB125N02RT4 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
额定电压(DC)24.0 V
额定电流125 A
封装TO-263-3
漏源极电阻3.70 mΩ
极性N-Channel
功耗1.98W (Ta), 113.6W (Tc)
漏源极电压(Vds)24 V
漏源击穿电压24.0 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)125 A
上升时间39.0 ns
输入电容值(Ciss)3440pF @20V(Vds)
额定功率(Max)1.98 W
耗散功率(Max)1.98W (Ta), 113.6W (Tc)
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NTB125N02RT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Cut Tape (CT)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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NTB125N02RT4 数据手册

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