| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 60.0 A |
| 封装 | TO-263-3 |
| 漏源极电阻 | 16.0 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 150 W |
| 输入电容 | 3.22 nF |
| 栅电荷 | 81.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±15.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 60.0 A |
| 上升时间 | 576 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 3075pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 237 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.4 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.29 mm |
| 宽度 | 9.65 mm |
| 高度 | 4.83 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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ON SEMICONDUCTOR NTB60N06T4G 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 60A, D2-PAK
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功率MOSFET 60安培， 60伏特，逻辑电平N沟道TO- 220和D2PAK Power MOSFET 60 Amps, 60 Volts, Logic Level N−Channel TO−220 and D2PAK
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60 V ， 60 A ， N沟道TO- 220和D2PAK 60 V, 60 A, N−Channel TO−220 and D2PAK
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