类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
额定电压(DC) | 60.0 V |
额定电流 | 60.0 A |
封装 | D2PAK |
漏源极电阻 | 14.0 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 150 W |
漏源极电压(Vds) | 60.0 V |
漏源击穿电压 | 60.0 V |
栅源击穿电压 | ±20.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 60.0 A |
上升时间 | 181 ns |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Bulk |
ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR NTB60N06T4G 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 60A, D2-PAK
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET 60安培, 60伏特,逻辑电平N沟道TO- 220和D2PAK Power MOSFET 60 Amps, 60 Volts, Logic Level N−Channel TO−220 and D2PAK
ON Semiconductor(安森美)
60 V , 60 A , N沟道TO- 220和D2PAK 60 V, 60 A, N−Channel TO−220 and D2PAK
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功率MOSFET 60安培, 60伏特,逻辑电平N沟道TO- 220和D2PAK Power MOSFET 60 Amps, 60 Volts, Logic Level N−Channel TO−220 and D2PAK
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功率MOSFET 60安培, 60伏特,逻辑电平N沟道TO- 220和D2PAK Power MOSFET 60 Amps, 60 Volts, Logic Level N−Channel TO−220 and D2PAK
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