| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 60.0 A |
| 封装 | TO-263-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0115 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 150 W |
| 阈值电压 | 2.85 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 60.0 A |
| 上升时间 | 180.7 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 3220pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2.4 W |
| 下降时间 | 142.5 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.4 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 10.29 mm |
| 宽度 | 9.65 mm |
| 高度 | 4.83 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET，60V，ON Semiconductor
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60 V ， 60 A ， N沟道TO- 220和D2PAK 60 V, 60 A, N−Channel TO−220 and D2PAK
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR NTB60N06T4G 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 60A, D2-PAK
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