类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 60.0 V |
额定电流 | 20.0 A |
封装 | TO-252-3 |
额定功率 | 60 W |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.039 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 60 W |
阈值电压 | 1.6 V |
输入电容 | 7.7pF @25V |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
漏源击穿电压 | 60 V |
栅源击穿电压 | ±15.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 20.0 A, 20.0 mA |
上升时间 | 98 ns |
输入电容值(Ciss) | 990pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 1.36 W |
下降时间 | 62 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 1.36 W |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6.73 mm |
宽度 | 6.22 mm |
高度 | 2.38 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET,60V,ON Semiconductor
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ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET 20安培, 60伏特,逻辑电平 Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts, Logic Level
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR NTD20N06LT4G 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 20A, D-PAK
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