| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.026 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 36 W |
| 阈值电压 | 1.8 V |
| 输入电容 | 675 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| 上升时间 | 12.6 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 675pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 36 W |
| 下降时间 | 2.4 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 36W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.73 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.38 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET，60V，ON Semiconductor
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ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR NTD5867NLT4G 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 60 V, 0.026 ohm, 10 V, 1.8 V
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