| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 额定电压(DC) | 20.0 V |
| 额定电流 | 3.10 A |
| 封装(公制) | 3216 |
| 封装 | 1206 |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.058 Ω |
| 极性 | N-Channel, P-Channel |
| 功耗 | 1.1 W |
| 阈值电压 | 600 mV |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 栅源击穿电压 | ±12.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3.90 A |
| 上升时间 | 13.0 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 180pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.1 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.1 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3.1 mm |
| 宽度 | 1.7 mm |
| 高度 | 1.1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 20V/-20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 12V/12V 最大漏极电流IdDrain Current| 2.9A/-2.2A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 115mΩ@ VGS =2.5V, ID =2.3A/240mΩ@ VGS =-2.5V, ID =-2.7A 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| 0.6~1.2V/-0.6~-1.2V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.1W Description & Applications| Power MOSFET Features • Complementary N−Channel and P−Channel MOSFET • Small Size, 40% Smaller than TSOP−6 Package • Leadless SMD Package Featuring Complementary Pair • Chip FET Package Provides Great Thermal Characteristics Similar to Larger Packages • Low RDS(on) in a ChipFET Package for High Efficiency Performance • Low Profile (< 1.10 mm) Allows Placement in Extremely Thin Environments Such as Portable Electronics • Pb−Free Package is Available Applications • Load Switch Applications Requiring Level Shift • DC−DC Conversion Circuits • Drive Small Brushless DC Motors • Designed for Power Management Applications in Portable, Battery Powered Products 描述与应用| 功率MOSFET 特点 •互补N-通道和P-通道MOSFET •小尺寸，40％小于TSOP-6封装 •无铅SMD封装，拥有互补配对 •FET封装芯片提供了极大的热特性类似大包 •低RDS（ON）ChipFET包装在一个高效率的性能 •薄型（<1.10毫米）允许放置在极薄环境，如便携式电子产品 •无铅包装是可用 应用 •负载开关应用的需要电平转换 •DC-DC转换电路 •驱动器小型无刷直流电动机 •专为便携式，电池供电产品的电源管理应用
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功率MOSFET的20 V ， 3.9 A / -3.0 A，互补ChipFET -TM Power MOSFET 20 V, +3.9 A / −3.0 A, Complementary ChipFET-TM
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR NTHC5513T1G 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2.9 A, 20 V, 0.058 ohm, 4.5 V, 600 mV
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