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NTHD3101FT3G
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NTHD3101FT3G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:SMD-8
描述:20V,3.9A/-4.4A,功率MOSFET,带肖特基二极管
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NTHD3101FT3G 数据手册 (7 页)
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NTHD3101FT3G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
额定电压(DC)-20.0 V
额定电流-4.40 A
封装SMD-8
漏源极电阻77.0 mΩ, 85.0 mΩ
极性N-Channel, P-Channel
功耗1.1W (Ta)
输入电容680 pF
栅电荷7.40 nC
漏源极电压(Vds)20 V
连续漏极电流(Ids)3.20 A
输入电容值(Ciss)680pF @10V(Vds)
耗散功率(Max)1.1W (Ta)
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NTHD3101FT3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tape
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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NTHD3101FT3G 数据手册

NTHD3101FT3G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
20V,3.9A/-4.4A,功率MOSFET,带肖特基二极管
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