| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 额定电压(DC) | -30.0 V |
| 额定电流 | -3.05 A |
| 封装 | SOIC |
| 漏源极电阻 | 85.0 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 2.00 W |
| 漏源极电压(Vds) | 30.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3.05 A |
| 上升时间 | 16.0 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 520pF @24V(Vds) |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR NTMD3P03R2G 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, SOIC
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功率MOSFET -3.05安培，伏特-30 Power MOSFET -3.05 Amps, -30 Volts
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