| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0082 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 1.5 W |
| 阈值电压 | 1.85 V |
| 漏源极电压(Vds) | 40 V |
| 上升时间 | 45 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2115pF @20V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.5 W |
| 下降时间 | 9 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1.5W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5 mm |
| 宽度 | 4 mm |
| 高度 | 1.5 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET，40V，ON Semiconductor
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR NTMS5835NLR2G 场效应管, MOSFET, N沟道, 40V, 0.0082Ω, 9.2A, SOIC-8
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