类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
额定电压(DC) | -8.00 V |
额定电流 | -1.40 A |
封装 | SC-70-3 |
漏源极电阻 | 117 mΩ |
极性 | P-Channel |
功耗 | 290mW (Ta) |
输入电容 | 640 pF |
栅电荷 | 6.40 nC |
漏源极电压(Vds) | 8 V |
栅源击穿电压 | ±8.00 V |
连续漏极电流(Ids) | 1.40 A |
输入电容值(Ciss) | 640pF @8V(Vds) |
额定功率(Max) | 290 mW |
耗散功率(Max) | 290mW (Ta) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Obsolete |
包装方式 | Tape |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -8V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流IdDrain Current| -1.4A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.065Ω @-1A,-4.5V 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| -0.45V 耗散功率PdPower Dissipation| 2.9W Description & Applications| Features • Leading Trench Technology for Low RDS(on) Extending Battery Life • −1.8 V Rated for Low Voltage Gate Drive • SC−70 Surface Mount for Small Footprint (2 x 2 mm) • Pb−Free Package is Available 描述与应用| •领导沟道技术低的RDS(on) 延长电池寿命 •-1.8 V额定低电压栅极驱动 SC-70小尺寸表面贴装(2×2毫米) •无铅包装是可用
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NTS2101 P沟道MOS场效应管 -8V -1.4mA 0.065ohm SOT-323 marking/标记 TS 低导通电阻 1.8V低栅极驱动
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ON SEMICONDUCTOR NTS2101PT1G 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.4 A, -8 V, 100 mohm, -4.5 V, -700 mV
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功率MOSFET -8.0 V, -1.4 A,单P沟道, SC- 70 Power MOSFET −8.0 V, −1.4 A, Single P−Channel, SC−70
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