类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
频率 | 500 MHz |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 40.0 V |
额定电流 | 2.5 A |
封装 | PowerSO-10RF |
功耗 | 31.7 W |
漏源极电压(Vds) | 40 V |
连续漏极电流(Ids) | 2.50 A |
输出功率 | 3 W |
增益 | 17 dB |
测试电流 | 50 mA |
输入电容值(Ciss) | 36pF @12.5V(Vds) |
工作温度(Max) | 165 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 31700 mW |
额定电压 | 40 V |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 7.5 mm |
宽度 | 9.4 mm |
高度 | 3.5 mm |
工作温度 | -65℃ ~ 165℃ |
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
RF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS PD55003-E 晶体管, 射频FET, 40 V, 2.5 A, 31.7 W, 1 GHz, PowerSO-10RF
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STMICROELECTRONICS PD55003L-E 晶体管, 射频FET, 40 V, 2.5 A, 14 W, 480 MHz, 520 MHz, SMD
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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RF功率晶体管, LDMOST塑料家族的N沟道增强模式,横向MOSFET的 RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs
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ST Microelectronics(意法半导体)
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