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PHP21N06T
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PHP21N06T 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:NXP（恩智浦）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:TrenchMOSO晶体管标准水平FET TrenchMOSO transistor Standard level FET
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PHP21N06T 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
额定电压(DC)55.0 V
额定电流21.0 A
封装TO-220-3
通道数1 Channel
漏源极电阻75 mΩ
功耗69 W
输入电容500 pF
栅电荷13.0 nC
漏源极电压(Vds)55.0 V
漏源击穿电压55 V
连续漏极电流(Ids)21.0 A
上升时间16 ns
下降时间13 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)55 ℃
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PHP21N06T 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tube
长度10.3 mm
宽度4.7 mm
高度9.4 mm
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PHP21N06T 数据手册

PHP21N06T 数据手册
NXP（恩智浦）
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