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PHP54N06T
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PHP54N06T 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:NXP（恩智浦）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:N沟道增强模式音响场效晶体管 N-channel enhancement mode field-effect transistor
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PHP54N06T 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
额定电压(DC)55.0 V
额定电流54.0 A
封装TO-220-3
功耗118 W
输入电容1.59 nF
栅电荷36.0 nC
漏源极电压(Vds)55.0 V
连续漏极电流(Ids)54.0 A
上升时间74 ns
下降时间40 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
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PHP54N06T 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tube
长度10.3 mm
宽度4.7 mm
高度9.4 mm
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PHP54N06T 数据手册

PHP54N06T 数据手册
NXP（恩智浦）
12 页 / 0.2 MByte
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