| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-23 |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 4.9A |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流Id Drain Current| 4.9A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 耗散功率Pd Power Dissipation| 19.6W Description & Applications| TrenchMOS™ ultra low level FET Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology Ultra low level threshold Surface mount package. 描述与应用| TrenchMOS™超低水平FET 描述 N沟道增强型场效应晶体管在一个塑料包装用 的TrenchMOS™技术 超低水平阈值 表面贴装封装
NXP（恩智浦）
16 页 / 0.36 MByte
Lovato
Lovato此 Lovato 系列电压监控继电器为自供电，用于最低和最高电压、相位和中性丢失，包括错误相序。 您可选择单相或三相电压监控继电器以及最高和最低交流电压。 该继电器具有可配置额定电压，包括极佳的跳闸精度。自供电 模块化 DIN 43880 外壳 极佳的跳闸精度 IEC 保护等级：正面 IP40 且仅当放在 IP40 外壳或控制板中时 接线端子处 IP20 可配置额定电压 单相或三相 最低和最高交流电压 跳闸精度 ### 认可EAC；UL 认证，可在美国和加拿大（cULus 文件 E93601）用作辅助设备。 符合标准：IES/EN 60255-5 IEC/EN 61000-6-2 IEC/EN 61000-6-3 UL 508 CSA C22.2 n° 14。### Lovato 橙色接触器、控制继电器和附件
Lovato
Lovato此 Lovato 系列电压监控继电器为自供电，用于最低和最高电压、相位和中性丢失，包括错误相序。 您可选择单相或三相电压监控继电器以及最高和最低交流电压。 该继电器具有可配置额定电压，包括极佳的跳闸精度。自供电 模块化 DIN 43880 外壳 极佳的跳闸精度 IEC 保护等级：正面 IP40 且仅当放在 IP40 外壳或控制板中时 接线端子处 IP20 可配置额定电压 单相或三相 最低和最高交流电压 跳闸精度 ### 认可EAC；UL 认证，可在美国和加拿大（cULus 文件 E93601）用作辅助设备。 符合标准：IES/EN 60255-5 IEC/EN 61000-6-2 IEC/EN 61000-6-3 UL 508 CSA C22.2 n° 14。### Lovato 橙色接触器、控制继电器和附件
Lovato
Lovato此 Lovato 系列电压监控继电器为自供电，用于最低和最高电压、相位和中性丢失，包括错误相序。 您可选择单相或三相电压监控继电器以及最高和最低交流电压。 该继电器具有可配置额定电压，包括极佳的跳闸精度。自供电 模块化 DIN 43880 外壳 极佳的跳闸精度 IEC 保护等级：正面 IP40 且仅当放在 IP40 外壳或控制板中时 接线端子处 IP20 可配置额定电压 单相或三相 最低和最高交流电压 跳闸精度 ### 认可EAC；UL 认证，可在美国和加拿大（cULus 文件 E93601）用作辅助设备。 符合标准：IES/EN 60255-5 IEC/EN 61000-6-2 IEC/EN 61000-6-3 UL 508 CSA C22.2 n° 14。### Lovato 橙色接触器、控制继电器和附件
NXP（恩智浦）
PMV40UN N沟道MOSFET 30V 4.9A SOT-23/SC-59 marking/标记 W35 快速开关/DC/DC应用/极低的RDS
NXP（恩智浦）
PMV40UN2 系列 30 V 44 mOhm 3.7 A 通孔 N-沟道 Trench MOSFET-TO-236AB
NXP（恩智浦）
NXP PMV40UN2 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.4 A, 30 V, 0.036 ohm, 4.5 V, 650 mV
NXP（恩智浦）
NXP PMV40UN,215 晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 30 V, 0.04 ohm, 4.5 V, 700 mV
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
