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RE1E002SPTCL
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RE1E002SPTCL 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:SOT-3
描述:晶体管, MOSFET, P沟道, -250 mA, -30 V, 0.9 ohm, -10 V, -2.5 V
PDF文件:RE1E002SPTCL 数据手册 (14 页)典型应用电路图在12 页
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RE1E002SPTCL 数据手册 (14 页)
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RE1E002SPTCL 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装SOT-3
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻0.9 Ω
极性P-Channel
功耗0.15 W
阈值电压2.5 V
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)0.25A
上升时间6 ns
输入电容值(Ciss)30pF @10V(Vds)
额定功率(Max)150 mW
下降时间23 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)150mW (Ta)
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RE1E002SPTCL 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度150℃ (TJ)
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RE1E002SPTCL 数据手册

RE1E002SPTCL 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
14 页 / 0.49 MByte
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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
晶体管, MOSFET, P沟道, -250 mA, -30 V, 0.9 ohm, -10 V, -2.5 V
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