| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 2 Pin |
| 封装 | TO-220-2 |
| 正向电压 | 1.7V @8A |
| 热阻 | 2.4℃/W (RθJC) |
| 反向恢复时间 | 0 ns |
| 正向电流 | 8 A |
| 最大正向浪涌电流 | 120 A |
| 正向电压(Max) | 2.1 V |
| 正向电流(Max) | 8 A |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 工作结温(Max) | 175 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.4 mm |
| 宽度 | 4.6 mm |
| 高度 | 15.75 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 175℃ |
碳化硅 (SiC) 肖特基二极管，STMicroelectronics
●碳化硅 (SiC) 二极管是一个超高性能功率肖特基整流器。
● 无或可忽略的反向恢复
● 切换行为不受温度影响
● 专用于 PFC 应用
● 高正向浪涌能力
●### 二极管和整流器，STMicroelectronics
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600 V功率肖特基碳化硅二极管 600 V power Schottky silicon carbide diode
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SiC) 肖特基二极管，STMicroelectronics碳化硅 (SiC) 二极管是超高性能功率肖特基二极管。 关闭时不显示恢复，且圆环图案可忽略。 最小电容性关闭行为与温度无关。### 二极管和整流器，STMicroelectronics
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STMICROELECTRONICS STPSC806G-TR 二极管, 碳化硅肖特基, SIC, 600V系列, 单, 600 V, 8 A, 10 nC, TO-263
ST Microelectronics（意法半导体）
二极管, 碳化硅肖特基, 单, 650 V, 8 A, 28 nC, TO-220AC
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二极管, 碳化硅肖特基, 单, 650 V, 8 A, 28 nC, TO-220AC
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600 V功率肖特基碳化硅二极管 600 V power Schottky silicon carbide diode
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