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STB13N60M2
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STB13N60M2 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-263-3
描述:N 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源（LLC 转换器）。 其配置具有低栅极电荷，以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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STB13N60M2 数据手册 (24 页)
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STB13N60M2 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻0.35 Ω
极性N-CH
功耗110 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)600 V
连续漏极电流(Ids)11A
上升时间10 ns
输入电容值(Ciss)580pF @100V(Vds)
额定功率(Max)110 W
下降时间9.5 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)110W (Tc)
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STB13N60M2 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度10.4 mm
宽度9.35 mm
高度4.6 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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STB13N60M2 数据手册

STB13N60M2 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
24 页 / 0.84 MByte
STB13N60M2 产品封装文件
ST Microelectronics（意法半导体）
23 页 / 0.76 MByte

STB13N60 数据手册

STB13N60M2 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源（LLC 转换器）。 其配置具有低栅极电荷，以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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