| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-323-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.8 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 0.15 W |
| 阈值电压 | 1 V |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 0.2A |
| 上升时间 | 10 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 25pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 150 mW |
| 下降时间 | 10 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 150mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
6 页 / 0.3 MByte
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
RU1C002ZP 系列 20 V 200 mA 1.2 Ohm 硅 表面贴装 P-沟道 Mosfet - UMT-3F
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 20 V, 0.8 ohm, 2.5 V, 1 V
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
1.2V驱动P沟道MOSFET 1.2V Drive Pch MOSFET
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
1.2V驱动N沟道MOSFET 1.2V Drive Nch MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
