| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 64 Pin |
| 电源电压 | 2.70V (min) |
| 封装 | FBGA-64 |
| 供电电流 | 60 mA |
| 针脚数 | 64 Position |
| 位数 | 16 Bit |
| 存取时间 | 110 ns |
| 存取时间(Max) | 110 ns |
| 工作温度(Max) | 85 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 电源电压 | 1.65V ~ 3.6V |
| 电源电压(Max) | 3.6 V |
| 电源电压(Min) | 2.7 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tray |
| 工作温度 | -40℃ ~ 85℃ |
S29GL01GS11DHIV10是一款1GB GL-SMirrorBit®Eclipse™闪存非易失性存储器, 采用65纳米工艺技术制造. 该器件的快速页访问时间快至110ns, 相应的随机访问时间低至90ns. 具有写入缓冲, 每次操作中最多可以编程256字/512字节, 从而比标准编程算法更有效地进行编程. 这使得该器件非常适合需要高密度, 高性能低功耗的嵌入式应用.
● 最高地址部分受保护
● Versatile I/O™ - 宽I/O电压范围, 1.65V至VCC
● 异步32字节页读取
● 暂停与恢复命令, 用于编程与擦除操作
● 状态寄存器, 数据轮询与就绪/忙碌引脚方法来确定设备状态
● 先进的扇区保护 - 每个扇区具有易失性和非易失性保护方法
● 通用闪存接口 (CFI)参数表
● 100000擦除周期 (典型值)
● 数据保留20年(典型值)
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
102 页 / 1.44 MByte
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
109 页 / 2.32 MByte
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
GL-S 系列 1G (64M x 16) 3.6 V MirrorBit® Eclipse™ 闪存 非易失性 存储器
Spansion（飞索半导体）
SPANSION S29GL01GS11TFI010 闪存, 1 Gbit, 64M x 16位, 并行, TSOP, 56 引脚
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
闪存, 或非, 并行NOR, 1 Gbit, 64M x 16位, 并行, FBGA, 64 引脚
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
闪存, MirrorBit Eclipse架构, 并行NOR, 1 Gbit, 64M x 16位, CFI, 并行, TSOP, 48 引脚
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
GL-S 系列 1 G位 (64 M x 16) 3.6 V 110 ns 非易失性 存储器 - TSOP-56
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
闪存, 或非, 并行NOR, 1 Gbit, 64M x 16位, 并行, FBGA, 64 引脚
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
CYPRESS SEMICONDUCTOR S29GL01GS11DHIV20 芯片, 闪存, 或非, 1GB, FBGA-64
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
闪存, 或非, 并行NOR, 1 Gbit, 64M x 16位, 并行, FBGA, 64 引脚
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
芯片, 存储器, 闪存, 或非门, 1GB, TSOP-56
Spansion（飞索半导体）
SPANSION S29GL01GS11DHI010 闪存, 或非, 1 Gbit, 64M x 16位, 并行, FBGA, 64 引脚
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
