类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 56 Pin |
电源电压 | 2.70V (min) |
封装 | TSOP-56 |
供电电流 | 60 mA |
针脚数 | 56 Position |
位数 | 16 Bit |
存取时间 | 100 ns |
内存容量 | 64000000 B |
存取时间(Max) | 100 ns |
工作温度(Max) | 85 ℃ |
工作温度(Min) | -40 ℃ |
电源电压 | 2.7V ~ 3.6V |
电源电压(Max) | 3.6 V |
电源电压(Min) | 2.7 V |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tray |
工作温度 | -40℃ ~ 85℃ |
FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb(32M x 16) 并联 100 ns 56-TSOP
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
102 页 / 1.44 MByte
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
109 页 / 2.32 MByte
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
GL-S 系列 512 Mb (32 M x 16) 3.6 V 100 ns 非易失性 存储器 - TSOP-56
Spansion(飞索半导体)
Spansion### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。
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S29GL512P 系列 512 Mb (32M x 16) 3 V 100 ns 闪存-NOR 存储器 - BGA-64
Spansion(飞索半导体)
SPANSION S29GL512S10TFI020 闪存, 或非, 512 Mbit, 32M x 16位, 并行, TSOP, 56 引脚
Spansion(飞索半导体)
SPANSION S29GL512S10DHI010 闪存, 或非, 512 Mbit, 32M x 16位, 并行, FBGA, 64 引脚
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
芯片, 闪存, 或非, 512MB, FBGA-64
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
Spansion(飞索半导体)
SPANSION S29GL512S10FHI010 芯片, 闪存, 或非, 512MB, FBGA-64
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