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SD56120
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SD56120 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:M-246
描述:射频功率晶体管射频功率晶体管 RF POWER TRANSISTORS RF POWER TRANSISTORS
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封装尺寸在12 页13 页
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SD56120 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
频率860 MHz
引脚数5 Pin
额定电压(DC)65.0 V
额定电流14 A
封装M-246
极性N-Channel
功耗217 W
输入电容82.0 pF
漏源极电压(Vds)60 V
漏源击穿电压65 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)14.0 A
输出功率100 W
增益16 dB
测试电流400 mA
输入电容值(Ciss)82pF @28V(Vds)
输出功率(Max)100 W
工作温度(Max)200 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)217000 mW
额定电压65 V
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SD56120 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度29.08 mm
宽度5.97 mm
高度5.08 mm
工作温度-65℃ ~ 200℃
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SD56120 数据手册

SD56120 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
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