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SI2300DS-T1-GE3
来自 AiPCBA

SI2300DS-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:SOT-23
描述:VISHAY  SI2300DS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 30 V, 0.055 ohm, 4.5 V, 600 mV
PDF文件:SI2300DS-T1-GE3 数据手册 (7 页)
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SI2300DS-T1-GE3 数据手册 (7 页)
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SI2300DS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装SOT-23
针脚数3 Position
漏源极电阻0.055 Ω
极性N-Channel
功耗1.7 W
阈值电压600 mV
漏源极电压(Vds)30 V
上升时间15 ns
下降时间11 ns
工作温度(Max)150 ℃
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SI2300DS-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
工作温度-55℃ ~ 150℃
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SI2300DS-T1-GE3 数据手册

SI2300DS-T1-GE3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
7 页 / 0.11 MByte
SI2300DS-T1-GE3 其他数据使用手册
Vishay Semiconductor（威世）
10 页 / 0.22 MByte
SI2300DS-T1-GE3 产品修订记录
Vishay Semiconductor（威世）
2 页 / 0.09 MByte

SI2300DST1 数据手册

SI2300DS-T1-GE3 数据手册
VISHAY（威世）
N沟道,30V,3.6A,68mΩ@4.5V
SI2300DS-T1-GE3 数据手册
Vishay Siliconix
SI2300DS-T1-GE3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY  SI2300DS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 30 V, 0.055 ohm, 4.5 V, 600 mV
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