| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.1 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 0.9 W |
| 阈值电压 | 950 mV |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | -2.20 A |
| 上升时间 | 40 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 375pF @6V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 700 mW |
| 下降时间 | 20 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 700mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 3.04 mm |
| 宽度 | 1.4 mm |
| 高度 | 1.02 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
| 最小包装数量 | 3000 |
P 通道 MOSFET，8V 至 20V，Vishay Semiconductor
VISHAY（威世）
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VISHAY（威世）
P沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
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P沟道2.5 V （G -S ）的MOSFET P-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET
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P沟道2.5 V （G -S ）的MOSFET P-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET
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VISHAY SI2301BDS-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -20 V, 100 mohm, -4.5 V, -950 mV
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P沟道2.5 V （G -S ）的MOSFET P-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET
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